氢稀释比对氢化硅薄膜两相结构和电学性能的影响

• 作者: 李贺军 杨冠军 鲁媛媛
• 来源期刊: 无机材料学报
• 学科: 工学
• 关键词: 氢稀释比 硅膜 两相结构 电学性能
• 年，卷（期）: 2015,（5）
• 所属期刊栏目: 研究论文
• 页码范围: 474-478
• 页数: 5页
• 分类号: TQ174
• 字数: 2675字
• 语种: 中文
• DOI: 10.15541/jim20140519

摘要

通过改变氢气对硅烷的稀释比 R, 采用等离子体增强化学气相沉积(PECVD)方法制备出具有非晶/微晶相变过渡区的氢化硅薄膜, 并研究了所得硅膜在不同沉积阶段的微观结构和形貌、晶化效果和电学性能.研究结果表明,当 R=10 时, 样品呈典型的非晶特性; 随着氢稀释比的增大, 薄膜表现出两相结构, 且衬底表面处的非晶过渡层逐渐减薄, 也即非晶向微晶的转变提前.但XRD结果显示, 硅膜的晶化率和平均晶粒尺寸随着R的增加呈先增后减的趋势, 在R=28.6时达到最大值.另外, 暗电导率和载流子浓度表现出了与晶化率一样的变化趋势, 显示出硅膜的电学性能与微观结构的高度正相关性.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	李贺军	西北工业大学材料科学与工程学院	351	3778	28.0	39.0
2	杨冠军	西北工业大学材料科学与工程学院	7	25	4.0	4.0
3	鲁媛媛	西北工业大学材料科学与工程学院	3	3	1.0	1.0