高效背接触太阳电池反向热击穿特性研究

• 作者: 吴元庆 周涛 李媛 陆晓东
• 来源期刊: 高技术通讯
• 关键词: 背接触 太阳电池 电阻率 发射区 表面浓度 结深 刻蚀 热击穿
• 年，卷（期）: 2015,（12）
• 所属期刊栏目: 先进制造与自动化技术
• 页码范围: 1076-1082
• 页数: 7页
• 字数: 4666字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3772/j.issn.1002-0470.2015.12.012

摘要

基于非等温能量平衡传输模型，利用TCAD半导体器件仿真软件对N型插指背接触（IBC）单晶硅太阳电池反向输出特性进行了仿真研究。通过光电转换效率和反向热击穿特性对IBC太阳电池的性能进行综合评价。全面系统地分析了不同衬底电阻率、发射区表面浓度、发射结结深对IBC电池反向热击穿特性和转换效率的影响。借鉴双极功率半导体器件的抗二次击穿技术并应用于IBC电池，详细分析了发射区边缘刻蚀结构对IBC电池反向热击穿特性的影响。仿真结果表明：高晶硅衬底电阻率、低发射区表面浓度有利于改善IBC电池的反向热击穿特性，但不利于电池转换效率的提高。深结发射区不仅有利于改善IBC电池的热击穿特性，而且有利于电池转换效率的提高。当发射区边缘柱面结未被完全刻蚀时，不具有改善IBC电池反向热击穿特性的作用。当发射区边缘柱面结被完全刻蚀时，随着横向刻蚀距离的增大，热击穿临界电压增大。

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	周涛	渤海大学新能源学院	59	88	4.0	6.0
2	陆晓东	渤海大学新能源学院	76	99	4.0	6.0
3	吴元庆	渤海大学新能源学院	48	41	3.0	4.0
4	李媛	渤海大学新能源学院	32	47	4.0	6.0