基于氧化镍背接触缓冲层碲化镉薄膜太阳电池的研究

• 作者: 吴玲玲 李强 李珣 沈凯 王东明 王德亮 王德钊 肖迪
• 来源期刊: 物理学报
• 关键词: 碲化镉 薄膜太阳电池 氧化镍 缓冲层
• 年，卷（期）: 2017,（11）
• 所属期刊栏目: 凝聚物质:电子结构、电学、磁学和光学性质
• 页码范围: 282-289
• 页数: 8页
• 语种: 中文
• DOI: 10.7498/aps.66.117301

摘要

采用电子束蒸发法制备了NiO薄膜,并对其作为碲化镉薄膜太阳电池背接触缓冲层材料进行了相关研究.NiO缓冲层的加入使得碲化镉太阳电池开路电压显著增大.通过X射线光电子能谱测试得到的NiO/CdTe界面能带图表明NiO和CdTe的能带匹配度很好.NiO是宽禁带P型半导体材料,在电池背接触处形成背场,减少了电子在背表面处的复合,从而提高电池开路电压.通过优化NiO薄膜厚度,制备得到转换效率为12.2％、开路电压为789 mV的碲化镉太阳电池.研究证实NiO是用来制备高转换效率、高稳定性碲化镉薄膜太阳电池的一种极有前景的缓冲层材料.