常见SiC CVD系统及其尾气处理装置

• 作者: 朱志明 李赟 杨霏 赵志飞 钮应喜
• 来源期刊: 智能电网
• 学科: 工学
• 关键词: 尾气 碳化硅 外延 化学气相沉积
• 年，卷（期）: 2015,（3）
• 所属期刊栏目: 学术研究与应用
• 页码范围: 214-217
• 页数: 4页
• 分类号: TM23
• 字数: 2564字
• 语种: 中文
• DOI: 10.14171/j.2095-5944.sg.2015.03.005

摘要

采用化学气相沉积技术研制碳化硅外延薄膜有一个不能忽视的问题，就是如何处理外延过程中产生的尾气。介绍常用的两种不同类型的碳化硅化学气相沉积设备以及其对应的尾气处理装置；分析不同类型的碳化硅外延设备产生尾气的组分，重点描述燃烧式及水洗式尾气处理装置的工作原理。

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	杨霏		10	18	3.0	4.0
2	李赟		1	0	0.0	0.0
3	钮应喜		4	6	1.0	2.0
4	赵志飞		1	0	0.0	0.0
5	朱志明		1	0	0.0	0.0