Rohm发布首款沟槽式碳化硅MOSFET

• 作者: 科发
• 来源期刊: 半导体信息
• 学科: 工学
• 关键词: ROHM 沟槽式 芯片尺寸 导通电阻 平面式 首款 批量生产 功率损耗 功率系统 输入电容
• 年，卷（期）: 2015,（3）
• 页码范围: 14-15
• 页数: 2页
• 分类号: TN386

摘要

【正】Rohm最新发表了他们首次采用沟槽式结构研制并大批量生产了碳化硅MOSFET。与传统平面式碳化硅MOSFET相比,同样芯片尺寸条件下,导通电阻降低了50%,极有可能也能大幅降低许多设备的功率损耗,如工业用转换器和电源,电源和太阳能电力系统的电力调制器,太阳能功率系统调制器。近些年,世界范围内越来越多的研究开始关注电力供应的解决方案,其中主要研究电源供应的转换和已产生电力的高效输运。碳化硅功率器件因为能