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摘要:
本文简要比较了下SiC Mosfet管和Si IGBT管的部分电气性能参数并分析了这些电气参数对电路设计的影响,并且根据SiC Mosfet管开关特性和高压高频的应用环境特点,推荐了金升阳可简化设计隔离驱动电路的SIC驱动电源模块。
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文献信息
篇名 SiC Mosfet管特性及其专用驱动电源
来源期刊 变频器世界 学科 工学
关键词 SIC MOSFET管 隔离驱动电路 驱动电源模块 QA01C
年,卷(期) 2015,(2) 所属期刊栏目
研究方向 页码范围 94-96
页数 3页 分类号 TM921.51
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研究主题发展历程
节点文献
SIC
MOSFET管
隔离驱动电路
驱动电源模块
QA01C
研究起点
研究来源
研究分支
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引文网络交叉学科
相关学者/机构
期刊影响力
变频器世界
月刊
1561-0330
大16开
深圳市南山区高新南区科苑南路中地数码大厦
1997
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