基本信息来源于合作网站,原文需代理用户跳转至来源网站获取       
摘要:
采用溶胶-凝胶法在Si(111)和Pt/Ti/SiO2/Si衬底上制备Ba4 Nd9.33Ti18O54(BNT)介质薄膜,采用X线衍射仪(XRD)和扫描电子显微镜(SEM)研究了不同退火温度对薄膜结构和表面形貌的影响.结果表明当薄膜在950℃下退火2h后具有较好结晶质量的钨青铜结构,所得到的薄膜表面较为疏松;通过掺入质量分数为2%B2O3-2SiO2,可进一步将BNT薄膜的晶化温度降至900℃,且结构致密.介电性能测试表明,1 MHz频率下BNST薄膜的介电常数为45,介电损耗为1.1%,30 V偏压下漏电流密度为4.13×10-6 A/cm2.
推荐文章
溶胶-凝胶法制备钛酸锶钡铁电薄膜的研究
钛酸锶钡
铁电薄膜
溶胶-凝胶
溶胶-凝胶法制备铁电薄膜材料研究进展
溶胶-凝胶
铁电薄膜
功能材料
钛酸锶钡铁电薄膜的制备与性能优化研究
钛酸锶钡(BST)
铁电薄膜
制备工艺
性能优化
内容分析
关键词云
关键词热度
相关文献总数  
(/次)
(/年)
文献信息
篇名 溶胶-凝胶法制备钡钕钛薄膜及其介电性能研究
来源期刊 压电与声光 学科 工学
关键词 溶胶-凝胶(Sol-Gel)法 BNT薄膜 晶化温度 薄膜结构 介电性能
年,卷(期) 2015,(3) 所属期刊栏目
研究方向 页码范围 477-479
页数 3页 分类号 TM22
字数 2373字 语种 中文
DOI
五维指标
作者信息
序号 姓名 单位 发文数 被引次数 H指数 G指数
1 杨成韬 电子科技大学电子薄膜与集成器件国家重点实验室 67 255 8.0 12.0
2 张瑶 电子科技大学电子薄膜与集成器件国家重点实验室 4 14 2.0 3.0
3 朱伟欣 电子科技大学电子薄膜与集成器件国家重点实验室 2 3 1.0 1.0
4 周冬 电子科技大学电子薄膜与集成器件国家重点实验室 2 3 1.0 1.0
5 杨翼晞 电子科技大学电子薄膜与集成器件国家重点实验室 2 3 1.0 1.0
6 许俊绍 川庆钻探工程有限公司地质勘探开发研究院 1 0 0.0 0.0
传播情况
(/次)
(/年)
引文网络
引文网络
二级参考文献  (6)
共引文献  (2)
参考文献  (7)
节点文献
引证文献  (0)
同被引文献  (0)
二级引证文献  (0)
1986(1)
  • 参考文献(0)
  • 二级参考文献(1)
1992(1)
  • 参考文献(0)
  • 二级参考文献(1)
1998(1)
  • 参考文献(1)
  • 二级参考文献(0)
1999(1)
  • 参考文献(0)
  • 二级参考文献(1)
2000(1)
  • 参考文献(0)
  • 二级参考文献(1)
2002(2)
  • 参考文献(0)
  • 二级参考文献(2)
2003(2)
  • 参考文献(2)
  • 二级参考文献(0)
2008(1)
  • 参考文献(1)
  • 二级参考文献(0)
2010(1)
  • 参考文献(1)
  • 二级参考文献(0)
2011(2)
  • 参考文献(2)
  • 二级参考文献(0)
2015(0)
  • 参考文献(0)
  • 二级参考文献(0)
  • 引证文献(0)
  • 二级引证文献(0)
研究主题发展历程
节点文献
溶胶-凝胶(Sol-Gel)法
BNT薄膜
晶化温度
薄膜结构
介电性能
研究起点
研究来源
研究分支
研究去脉
引文网络交叉学科
相关学者/机构
期刊影响力
压电与声光
双月刊
1004-2474
50-1091/TN
大16开
重庆市南岸区南坪花园路14号
1979
chi
出版文献量(篇)
4833
总下载数(次)
4
总被引数(次)
27715
论文1v1指导