一种长复位时间带低压探测的 POR 电路设计

• 作者: 翟明静 韩益锋
• 来源期刊: 常州工学院学报
• 学科: 工学
• 关键词: 上电复位 BCD 低压探测 长复位时间
• 年，卷（期）: 2015,（3）
• 页码范围: 15-18
• 页数: 4页
• 分类号: TN492
• 字数: 2070字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1671-0436.2015.03.004

摘要

应用层次化设计的方法，设计出具有低电源电压探测功能和长复位时间的上电复位电路。通过改变MOS电容的大小和施密特触发器的阈值电压，调节复位时间，产生的复位信号持续时间长。设计中嵌入了低压检测电路，外界干扰导致供电电压降低时，同样会产生复位信号。电路运用MOS管设计，版图面积大大缩小。在Cadence Spectre下采用0．5μm BCD工艺对设计电路进行仿真：5 V电源电压、典型工艺角及常温下，复位时间持续19．623 ms；供电电压降至3．8 V以下，产生的复位信号持续时间为20．079 ms，该设计提高了芯片工作的可靠性。

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	翟明静	常州工学院电子信息与电气工程学院	8	13	2.0	3.0
5	韩益锋	常州工学院电子信息与电气工程学院	11	7	1.0	1.0