40nm栅刻蚀工艺若干问题的优化与研究

• 作者: 张瑜 李全波
• 来源期刊: 中国集成电路
• 关键词: 栅 刻蚀 粗糙度 形貌
• 年，卷（期）: 2015,（4）
• 所属期刊栏目: 工艺
• 页码范围: 65-70
• 页数: 6页
• 字数: 3551字
• 语种: 中文

摘要

40nm栅刻蚀工艺面临很多的挑战,其中线宽粗糙度(Line width roughness,LWR)、关键尺寸负载效应、均匀性和物理形貌(Profile)尤为困难.本文着眼于LWR和物理形貌的优化和研究.实验结果显示BARC(Bottom Anti-Reflective Coating)刻蚀气体、等离子体处理步骤的位置和工艺时间均对LWR造成影响;氧气和偏压功率实验的形貌结果说明不同栅刻蚀步骤中,即使同一个参数,对形貌的影响也并不一样,其作用原理在文中也作了详细分析.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	李全波		2	0	0.0	0.0
2	张瑜		1	0	0.0	0.0