三维阵列电极粒子像素辐射探测器的终端结构仿真研究

• 作者: 王颖 胡海帆 陈杰
• 来源期刊: 中国科学（技术科学）
• 关键词: 像素探测器 终端结构 沟槽 电荷收集
• 年，卷（期）: 2015,（9）
• 所属期刊栏目: 论文
• 页码范围: 991-998
• 页数: 8页
• 语种: 中文
• DOI: 10.1360/N092015-00075

摘要

在新型绝缘衬底上硅互补金属氧化物半导体(SOI CMOS)粒子像素(ASCP)探测器结构基础上,提出背部沟槽终端结构.采用二维和三维器件仿真对比研究有源边界终端结构,结果表明:背部沟槽终端结构会在沟槽拐角处形成电场峰,同像素内N+沟槽底端电场等效对称,改善衬底电场分布,提高像素探测器终端耐压.在等效中子辐射流通量0～1016cm-2内,背部沟槽终端和有源边界终端的边缘像素有相近的电荷收集特性.此外,还分析了ASCP探测器的粒子角度入射特性.