氮化硅陶瓷及其与金属的接合技术

• 作者: 刘征 张伟儒 王腾飞 高陇桥
• 来源期刊: 真空电子技术
• 学科: 工学
• 关键词: 氮化硅陶瓷 陶瓷与金属接合 活性法封接工艺 气密性
• 年，卷（期）: 2015,（4）
• 所属期刊栏目: 电子陶瓷和封接工艺专辑
• 页码范围: 1-5
• 页数: 5页
• 分类号: TB756
• 字数: 3773字
• 语种: 中文

摘要

本文叙述了氮化硅陶瓷的发展趋势,特别强调了改进制造工艺,有可能提高其热导率而成为高热导率陶瓷家族中的一员.文中系统地介绍了氮化硅陶瓷与金属的接合工艺.试验结果表明:用活性法工艺,在国内首次成功地完成高气密性(Q≤10-11 Pa·m/s)和高强度(σ拉=144 MPa)的Si3N4-Cu封接件.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	刘征		26	158	7.0	11.0
2	高陇桥		69	653	15.0	22.0
3	张伟儒		12	99	7.0	9.0
4	王腾飞		2	8	2.0	2.0