金属表面微坑阵列掩膜电化学刻蚀技术研究

• 作者: 位广彬 杜立群 杨彤 陈胜利
• 来源期刊: 电加工与模具
• 学科: 工学
• 关键词: UV-LIGA 微坑阵列 电化学刻蚀 酸洗
• 年，卷（期）: 2015,（2）
• 所属期刊栏目: 设计?研究
• 页码范围: 29-32,37
• 页数: 5页
• 分类号: TG662
• 字数: 4350字
• 语种: 中文

摘要

采用负胶光刻工艺制备了微坑阵列胶模，通过实验分析了抛光工艺对刻蚀均匀性的影响，解决了微坑阵列刻蚀缺陷的问题。研究了酸洗对基板刻蚀的影响，得出酸洗可改善刻蚀均匀性的结论，并通过调节溶液pH值的方法解决了溶液沉淀的问题。分析了掩膜孔径对刻蚀均匀性的影响，并利用自行搭建的电化学刻蚀装置完成了直径60μm、深11μm的微坑阵列刻蚀。实验结果验证了掩膜电化学刻蚀工艺的可行性，为金属表面微小图形的制作提供了一种可行的方案。

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	杜立群	大连理工大学精密与特种加工教育部重点实验室	61	480	13.0	19.0
5	陈胜利	大连理工大学辽宁省微纳米系统重点实验室	2	8	2.0	2.0
6	位广彬	大连理工大学辽宁省微纳米系统重点实验室	1	3	1.0	1.0
7	杨彤	大连理工大学辽宁省微纳米系统重点实验室	1	3	1.0	1.0