InGaN基高压LED和传统大功率LED的发光效率比较

• 作者: 吕毅军 姚琦 张纪红 林思棋 郭自泉 陈国龙
• 来源期刊: 光电技术应用
• 学科: 工学
• 关键词: 高压LED 传统大功率LED 发光效率 电流密度 结温
• 年，卷（期）: 2015,（2）
• 所属期刊栏目: 光电器件与材料
• 页码范围: 37-41
• 页数: 5页
• 分类号: TN313.1
• 字数: 2918字
• 语种: 中文

摘要

主要从三个不同角度探究并分析了基于InGaN材料的高压LED的发光效率优于传统大功率LED的原因。为了保证实验结论的可靠性，文中所采用的实验样品具有相同的芯片尺寸和材料以及相同的封装结构。经过大量的实验证明，更均匀的电流分布和小芯片间隙的出光，使得高压LED的发光效率优于传统大功率LED。结果显示，在相同的1 W输入功率下，高压LED的发光效率比传统大功率LED高大约4.5%。