透明栅控SOI薄膜横向PIN光电探测器的光电特性

• 作者: 夏宇 徐慧 曾云 李国立
• 来源期刊: 国防科技大学学报
• 学科: 工学
• 关键词: 栅控 绝缘体上硅 光电探测器 光学特性
• 年，卷（期）: 2015,（1）
• 所属期刊栏目: 专题:微处理器设计与工艺
• 页码范围: 34-38
• 页数: 5页
• 分类号: TN36
• 字数: 3510字
• 语种: 中文
• DOI: 10.11887/j.cn.201501006

摘要

透明栅控 SOI 薄膜横向 PIN 光电探测器，是一种以 SOI 技术和互补金属氯化物半导体工艺为基础，综合 SOI 器件和传统双极、场效应光敏器件的新型光电探测器。利用半导体器件物理和基本方程，介绍和分析了器件结构及其工作原理，建立电压、电流物理模型。应用 SILVACO 器件仿真软件，完成器件的数值模拟与验证。在中短波长工作段，器件光电流随栅极电压的增大而增大，表现出明显的栅压控制特性。全耗尽状态下，器件的内部量子效率在中短波长（400nm，450nm，530nm，600nm）的光辐射下，可达到96％以上，甚至接近100％。短波长下（280nm，350nm），量子效率最大值近80％。此外，器件的暗电流很低，光暗电流之比超过106，具有高灵敏度。

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	曾云	湖南大学物理与微电子科学学院	102	899	13.0	27.0
2	徐慧	湖南大学物理与微电子科学学院	5	22	2.0	4.0
3	李国立	湖南大学物理与微电子科学学院	1	4	1.0	1.0
4	夏宇	湖南大学物理与微电子科学学院	9	43	4.0	6.0