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摘要:
【正】硅基上生长III-V族材料是一种常见的材料集成方式。该领域已经实现了一些突破,但该项技术仍存在一些缺陷,如:生长界面缺陷密度过高;化合物半导体沉积速率不够快;外延设备购置成本过高等。基于不同材料可在等离子体激活条件下直接键合这一方式,可以解决以上诸多困难。与传统外延生长技术相比,该项技术使得器件设计和流程实现更为自由,而近阶段广泛的应用实例也证实大部分的化合物半导体能够直接与不同衬底键合。
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文献信息
篇名 晶片键合技术实现器件新发展
来源期刊 半导体信息 学科 工学
关键词 化合物半导体 外延生长 键合技术 生长界面 直接键合 缺陷密度 集成方式 购置成本 沉积速率
年,卷(期) bdtxx_2015,(3) 所属期刊栏目
研究方向 页码范围 35-35
页数 1页 分类号 TN304.05
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研究主题发展历程
节点文献
化合物半导体
外延生长
键合技术
生长界面
直接键合
缺陷密度
集成方式
购置成本
沉积速率
研究起点
研究来源
研究分支
研究去脉
引文网络交叉学科
相关学者/机构
期刊影响力
半导体信息
双月刊
16开
南京市1601信箱43分箱(南京市中山东
1990
chi
出版文献量(篇)
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