瞄准未来——太赫兹晶体管

• 作者: 科发
• 来源期刊: 半导体信息
• 学科: 工学
• 关键词: 氮化铟 场效应晶体管 氮化镓 电子迁移率 太赫兹 极化电荷 物理分析
• 年，卷（期）: 2015,（3）
• 页码范围: 36-36
• 页数: 1页
• 分类号: TN32

摘要

【正】基于氮化铟高电子迁移率场效应晶体管实现高速逻辑、混合信号的集成电路显然还有很长的路要走,但研究已经开展起来,目前也取得了一些成果,比如对概念的物理分析。实际操作中也取得了一些突破,如在氮化铟上对氮化镓进行高选择性的刻蚀;在氮化镓/氮化铟上对金属氧化物半导体结构制备工艺;在N极性氮化镓/氮化铟接触面形成负极化电荷。如果研究继续推进,氮化铟高电子迁移率场效应晶体管可能将成为太赫兹领域电路、成像和通讯板块的核心