单层MoS1.89X0.11电子结构及光学性质的第一性原理计算

• 作者: 岑伟富 范梦慧 蔡勋明 谢泉 骆最芬
• 来源期刊: 激光与光电子学进展
• 学科: 物理学
• 关键词: 材料 电子结构 光学性质 掺杂 第一性原理 MoS2
• 年，卷（期）: 2015,（5）
• 所属期刊栏目: 材料
• 页码范围: 163-170
• 页数: 8页
• 分类号: O472.+3
• 语种: 中文
• DOI: 10.3788/LOP52.051602

摘要

采用基于第一性原理的赝势平面波方法,对比研究未掺杂和分别掺杂非金属P、半导体Si及金属A1的单层MoS2的电子结构和光学性质.计算结果表明:掺杂均转变为p型半导体且导带向低能方向显著偏移,带隙减小,掺P和Si由K点转变为Γ点直接带隙、掺A1形成K-Γ间接带隙半导体;通过态密度和布局分析得出:掺杂改变载流子的浓度及杂质原子与S-3p、Mo-4d形成的杂化轨道,对光学性质产生相应影响,其中掺A1对MoS2的光学性质影响最为显著,可增大MoS2的静态介电常数、折射率n0,降低能量损失.