碳化硅MOSFET成本实现大幅降低

• 作者: 科信
• 来源期刊: 半导体信息
• 学科: 工学
• 关键词: 操作频率 热沉 工程师们 芯片生产 圆片 调研公司 模型测算 德克萨斯州 外延片 外部供应商
• 年，卷（期）: 2015,（6）
• 页码范围: 23-24
• 页数: 2页
• 分类号: TN386

摘要

<正>目前对于紧凑型高效率的功率转换系统的需求日益增长,电力工程师们也一直在这一领域努力研究。他们考虑采用更为先进的功率器件,例如碳化硅功率MOSFET,能在操作频率上实现提升,减少无源器件的使用并且降低热沉的尺寸。尽管与传统硅材料IGBT相比,碳化硅MOSFET的零售价要高出许多,但实际应用中,能为系统层面带来的成本缩减和整体性能提升则完全弥补了性