一种5~20 GHz低插损低相位误差的CMOS衰减器

• 作者: 任小娇 庄奕琪 张岩龙 李振荣 李红云 杜永乾 齐增卫
• 来源期刊: 西安电子科技大学学报（自然科学版）
• 学科: 工学
• 关键词: 衰减器 步进式衰减器 CMOS开关 低插入损耗 低相位误差
• 年，卷（期）: 2015,（2）
• 页码范围: 89-94,145
• 页数: 7页
• 分类号: TN715
• 字数: 3807字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1001-2400.2015.02.015

摘要

设计了一种具有低插入损耗、低相位误差的5位 CMOS 集总式衰减器.该衰减器基于0.18μm CMOS工艺,采用桥T和π形衰减结构,通过 NMOS晶体管开关控制5个独立的衰减模块,在5~20 GHz的工作频段范围内实现步长1 dB、动态范围0~31 dB的信号幅度衰减.其中,串联控制开关管采用体端通过电阻与源极相连的结构,在不增加寄生电容的前提下,降低导通电阻；并联控制开关采用体端交流悬浮结构,以提高整体衰减器的线性度.较大衰减量的衰减模块采用电感进行补偿,以减小附加相移.仿真结果显示,该衰减器插入损耗最小为6.1 dB,最大为12.6 dB,各状态衰减量均方根小于0.5 dB,附加相移均方根小于3.4°,中心频率处1 dB压缩点为14.13 dBm.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	庄奕琪	西安电子科技大学微电子学院	183	1168	15.0	22.0
2	杜永乾	西安电子科技大学微电子学院	11	78	5.0	8.0
3	张岩龙	西安电子科技大学微电子学院	2	13	2.0	2.0
4	李振荣	西安电子科技大学微电子学院	12	33	4.0	4.0
5	任小娇	西安电子科技大学微电子学院	3	13	2.0	3.0
6	齐增卫	西安电子科技大学微电子学院	5	37	4.0	5.0
7	李红云	西安电子科技大学微电子学院	1	4	1.0	1.0