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武汉新芯3D NAND研发取得重要进展
武汉新芯3D NAND研发取得重要进展
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摘要：
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3D NAND Flash测试平台设计与实现
3D NAND Flash
时序验证
存储特性
创意产品研发与3D打印模式结合探索
3D打印
手板打样
创意产品
一种适用于3D NAND闪存的分布式功率级LDO设计
分布式功率级
升压电路
环路瞬态响应速度
3D NAND闪存
适用于3D NAND的高稳定度的Capacitor-free LDO
LDO
米勒补偿
3DNAND
电路设计
仿真实验
稳定性分析
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期刊影响力
信息技术与网络安全
主办单位：
华北计算机系统工程研究所(中国电子信息产业集团有限公司第六研究所)
出版周期：
月刊
ISSN：
2096-5133
CN：
10-1543/TP
开本：
大16开
出版地：
北京市海淀区清华东路25号（北京927信箱）
邮发代号：
82-417
创刊时间：
1982
语种：
chi
出版文献量（篇）
10909
总下载数（次）
33
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