3D NAND Flash测试平台设计与实现

• 作者: 李振华 楼向雄 黄圆
• 来源期刊: 杭州电子科技大学学报（自然科学版）
• 关键词: 3D NAND Flash 时序验证 存储特性
• 年，卷（期）: 2018,（1）
• 页码范围: 38-42
• 页数: 5页
• 分类号: TP302
• 语种: 中文
• DOI: 10.13954/j.cnki.hdu.2018.01.008

摘要

3D NAND Flash制造工艺的快速发展,在提高存储密度降低成本的同时,也带来了新的存储特性.对3D Flash存储特性的研究,有利于其进一步的应用和发展.采用S281芯片为控制芯设计了3D Flash通用测试平台,实验结果表明,该平台可以实现对所有型号Flash的时序验证,同时还可以用于3D Flash的特性分析,通过实测得到的存储特性数据进一步验证了平台设计的可靠性.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	李振华	浙江商业职业技术学院高教研究所	61	78	5.0	6.0
2	楼向雄	杭州电子科技大学通信工程学院	8	15	2.0	3.0
3	黄圆	杭州电子科技大学通信工程学院	1	1	1.0	1.0