原文服务方: 微电子学与计算机       
摘要:
由于阈值电压(threshold voltage,VTH)的偏移,3D NAND闪存可靠性很容易受到温度变化的影响,这将进一步恶化读取裕度.为了解决这一问题,本文提出了一种具有负温度系数的读电压基准发生器来补偿阈值电压随温度的变化.本文所提出的具有负温度系数的电压电路通过分别调整负温度系数(complementary to absolute temperature,CTAT)电流和零温度系数(zero to absolute temperature,ZTAT)电流,可输出具有相同负温度系数的不同大小的读电压,并通过调制器(regulator)来提高其输出电压的范围.结果表明,所提出的方法可以提供一个可配置的读电压范围为1.5~4.5V.
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文献信息
篇名 一种3D NAND闪存负温度系数的读电压基准发生器
来源期刊 微电子学与计算机 学科
关键词 阈值电压 3D NAND闪存 读电压发生器 负温度系数电流 零温度系数电流 调制器
年,卷(期) 2019,(7) 所属期刊栏目
研究方向 页码范围 12-16
页数 5页 分类号 TN432
字数 语种 中文
DOI
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1 何洪楷 2 3 1.0 1.0
2 白连龙 1 0 0.0 0.0
11 Masao Kuriyama 1 0 0.0 0.0
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研究主题发展历程
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阈值电压
3D NAND闪存
读电压发生器
负温度系数电流
零温度系数电流
调制器
研究起点
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期刊影响力
微电子学与计算机
月刊
1000-7180
61-1123/TN
大16开
1972-01-01
chi
出版文献量(篇)
9826
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59060
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