烧结温度对含Mn-Nb-Tb的Zn-V-O基陶瓷显微组织和压敏性能的影响

• 作者: C.W.NAHM
• 来源期刊: 中国有色金属学报（英文版）
• 关键词: Zn-V-O基陶瓷 Mn-Nb-Tb 烧结 压敏性能 介电特性 压敏电阻器
• 年，卷（期）: 2015,（12）
• 所属期刊栏目: 功能材料
• 页码范围: 4040-4045
• 页数: 6页
• 字数: 875字
• 语种: 英文
• DOI: 10.1016/S1003-6326(15)64053-5

摘要

研究烧结温度对含Mn-Nb-Tb的Zn-V-O基陶瓷显微组织和压敏性能的影响.结果表明,随着烧结温度由875℃升高到950℃,烧结陶瓷样品的密度由5.55 g/cm3降低到5.45 g/cm3,其平均晶粒尺寸由4.1μm增大至8.8 μm,击穿场强由7443 V/cm显著降低至1064 V/cm.经900℃烧结的压敏陶瓷样品具有明显的非线性特性,其非线性系数为49.4,漏电流密度为0.21 mA/cm2.当烧结温度由875℃升高到950℃时,Zn-V-O基陶瓷样品的介电常数由440.1增大到2197.2,其损耗因数的变化范围为0.237～0.5.因此,本研究中Zn-V-O基陶瓷组分和烧结条件有利于以银为内电极的先进多层芯片压敏电阻的开发.