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Soitec与SITRI携手共同开发射频SOI技术
Soitec与SITRI携手共同开发射频SOI技术
基本信息来源于合作网站,原文需代理用户跳转至来源网站获取
SOI技术
开发
INDUSTRIAL
射频
半导体公司
研究机构
电路设计
基底材料
摘要:
法国半导体公司Soitec与上海Industrial μTechnology研究机构(SITRI)共同签署一项协议,将采用基于Soitec公司衬基底材料和相关技术的先进电路设计进一步开发RF-SOI技术。
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Soitec与SITRI携手共同开发射频SOI技术
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半导体信息
学科
工学
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SOI技术
开发
INDUSTRIAL
射频
半导体公司
研究机构
电路设计
基底材料
年,卷(期)
bdtxx_2015,(4)
所属期刊栏目
研究方向
页码范围
27-27
页数
1页
分类号
TN43
字数
语种
DOI
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开发
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研究起点
研究来源
研究分支
研究去脉
引文网络交叉学科
相关学者/机构
期刊影响力
半导体信息
主办单位:
中国半导体行业协会分立器件分会
中国电子科技集团公司第五十五研究所
出版周期:
双月刊
ISSN:
CN:
开本:
16开
出版地:
南京市1601信箱43分箱(南京市中山东
邮发代号:
创刊时间:
1990
语种:
chi
出版文献量(篇)
5953
总下载数(次)
11
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