Al、S和Te掺杂GaSe晶体的光学及倍频特性

• 作者: 于丹 冯志书 康智慧 李晓明 高锦岳
• 来源期刊: 光子学报
• 学科: 工学
• 关键词: 非线性光学 晶体 掺杂 GaSe 透过率 倍频 相位匹配
• 年，卷（期）: 2015,（8）
• 所属期刊栏目: 非线性光学
• 页码范围: 105-110
• 分类号: TN248.22|O734+.1
• 语种: 中文
• DOI: 10.3788/gzxb20154408.0819001

摘要

对不同浓度Al、S和Te掺杂GaSe晶体的透过率和倍频特性进行了研究.结果表明,适宜浓度的掺杂晶体在透明波段内吸收系数约为α≤0.1～0.2 cm-1,适于非线性应用.GaSe∶S晶体透过率曲线向短波方向移动,且更适于高浓度掺杂,而Al和Te掺杂晶体透明范围的波段截止波长向长波方向移动,且移动幅度小于S掺杂晶体,当掺杂浓度达到GaSe∶Al (0.5 mass％)和GaSe∶Te (5 mass％)时,晶体光学质量明显下降.通过fs Ti∶Sapphire激光和CO2激光泵浦下Ⅰ类倍频实验发现,S掺杂晶体相位匹配曲线向短波方向移动,倍频输出功率比纯GaSe晶体有明显提高,最佳掺杂浓度为2 mass％.Al和Te掺杂晶体相位匹配角与纯GaSe晶体相比没有明显变化,实验结果与理论曲线符合较好.利用非线性方法研究发现当掺杂浓度不超过5 mass％时,GaSe∶Te晶体与纯GaSe同样属于六角形结构.三种掺杂方式最佳掺杂浓度分别为GaSe∶Al (0.1 mass％),GaSe∶S(2 mass％)和GaSe∶Te(0.5 mass％),在CO2激光泵浦下,三者频率转换效率之比约为1∶0.6∶0.5.在所使用的晶体样本中,GaSe∶S(2 mass％)晶体性能最佳,其频率转换效率可达纯GaSe晶体的3倍左右.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	高锦岳	吉林大学物理学院	27	92	6.0	8.0
2	李晓明		22	65	5.0	7.0
3	康智慧	吉林大学物理学院	22	61	5.0	7.0
4	于丹		14	10	2.0	3.0
5	冯志书		7	12	2.0	3.0