GaSe晶体的掺S生长及性能研究

• 作者: 倪友保 吴海信 戚鸣 王振友 肖瑞春 黄昌保
• 来源期刊: 无机材料学报
• 学科: 工学
• 关键词: GaSe0.89S0.11 掺杂 改进的Bridgman炉 坩埚旋转
• 年，卷（期）: 2015,（8）
• 所属期刊栏目: 研究快报
• 页码范围: 887-890
• 页数: 4页
• 分类号: TQ174
• 字数: 608字
• 语种: 中文
• DOI: 10.15541/jim20150032

摘要

当生长掺S的GaSe单晶时，熔体的强烈对流和溶质扩散使得生长出大尺寸的晶体较为困难。本实验采用改进的Bridgman炉，并结合坩埚旋转技术，成功生长出了较大尺寸的GaSe0.89S0.11单晶体(f20×60 mm3)。采用X射线粉末衍射仪、能谱仪、纳米压痕仪和傅里叶红外光谱仪测量其结构、成分、机械和光学性质。测试结果表明，质量分数为2.38%的 S掺杂的GaSe晶体(GaSe0.89S0.11)没有发生结构相变；它的机械性能得到了明显的改善，同时光学性能也得到了一定的提高。

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	吴海信	中国科学院安徽光学精密机械研究所安徽光电子材料和设备重点实验室	23	96	6.0	9.0
2	王振友	中国科学院安徽光学精密机械研究所安徽光电子材料和设备重点实验室	16	60	4.0	7.0
3	倪友保	中国科学院安徽光学精密机械研究所安徽光电子材料和设备重点实验室	16	61	4.0	7.0
4	黄昌保	中国科学院安徽光学精密机械研究所安徽光电子材料和设备重点实验室	10	8	2.0	2.0
5	肖瑞春	中国科学院安徽光学精密机械研究所安徽光电子材料和设备重点实验室	6	5	1.0	1.0