抗电磁干扰低电压 CMOS 放大器设计

• 作者: 李洪革 白会新 苏东林 谢树果
• 来源期刊: 电子学报
• 学科: 工学
• 关键词: CMOS 体驱动 低电压放大器 抗电磁干扰 直流非线性
• 年，卷（期）: 2015,（9）
• 所属期刊栏目: 科研通信
• 页码范围: 1870-1874
• 页数: 5页
• 分类号: TN432
• 字数: 2939字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.0372-2112.2015.09.028

摘要

基于 CMOS 体驱动，提出低电压放大器抗电磁干扰结构．电路采用部分正反馈结构提高体驱动输入级的等效输入跨导，通过输入电压降结构改善体驱动结构的直流非线性，采用双输入级结构保证放大器良好的交流特性，同时，对称拓扑结构保证了电路的高度对称性，实现了对称的转换速率．该设计采用电源电压为1V 的0．35μm 标准CMOS 工艺实现．对该放大器的抗电磁干扰特性进行理论分析与仿真验证，并同传统体驱动放大器相比较．实验结果表明：该结构的电压失调小于50mV，10kHz 频点的输出功率谱密度相比传统结构降低33dBm．

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	苏东林	北京航空航天大学电子信息工程学院	139	711	15.0	20.0
2	谢树果	北京航空航天大学电子信息工程学院	27	70	5.0	7.0
3	白会新	北京航空航天大学电子信息工程学院	1	4	1.0	1.0
4	李洪革	北京航空航天大学电子信息工程学院	7	8	2.0	2.0