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摘要:
设计了一种CMOS宽带、低功耗可变增益放大器.在分析使用源极退化电阻的共源放大器高频特性基础上,通过加入频率补偿电容改变放大器的零极点分布,在不增加功耗的情况下扩展了带宽.分析了放大器在低增益下出现的增益尖峰现象并加以解决.使用跨导增强电路提高了放大器的线性度.两级可变增益放大器使用TSMC0.25μm CMOS工艺.仿真结果表明,放大器在3.3V电压下核心电路功耗为3.15mW,增益范围0~40dB;在负载为5pF电容时3dB带宽大于340MHz,输出三阶交调点高于3.5dBm.
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内容分析
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文献信息
篇名 CMOS宽带可变增益放大器
来源期刊 半导体学报 学科 工学
关键词 可变增益放大器 CMOS 宽带
年,卷(期) 2005,(12) 所属期刊栏目 研究论文
研究方向 页码范围 2401-2406
页数 6页 分类号 TN72
字数 3474字 语种 中文
DOI 10.3321/j.issn:0253-4177.2005.12.025
五维指标
作者信息
序号 姓名 单位 发文数 被引次数 H指数 G指数
1 王志华 清华大学微电子研究所 183 1964 21.0 36.0
2 池保勇 清华大学微电子研究所 40 271 9.0 15.0
3 王自强 清华大学电子工程系 18 235 5.0 15.0
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研究主题发展历程
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可变增益放大器
CMOS
宽带
研究起点
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期刊影响力
半导体学报(英文版)
月刊
1674-4926
11-5781/TN
大16开
北京912信箱
2-184
1980
eng
出版文献量(篇)
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