纳米线阵列的电化学优化光吸收增强研究

• 作者: 任山 洪澜 王大永 甘源
• 来源期刊: 材料导报
• 学科: 工学
• 关键词: Cu2S纳米线阵列 电化学沉积 光吸收
• 年，卷（期）: 2015,（14）
• 所属期刊栏目: 材料研究
• 页码范围: 1-6
• 页数: 6页
• 分类号: TB34|O472.3
• 字数: 3130字
• 语种: 中文
• DOI: 10.11896/j.issn.1005-023X.2015.14.001

摘要

通过在自生长的半导体Cu2S纳米线阵列表面进一步应用电化学表面沉积处理,在纳米线表面形成尺寸更小的Cu2S纳米颗粒结构,实现了在不减小纳米线直径或增加纳米线长度的情况下,有效提高了纳米线阵列光吸收性能.利用I-V循环扫描曲线研究了以Cu2S纳米线阵列为工作电极的Cu2S沉积电位,利用X射线衍射(XRD)、扫描电子显微镜(SEM)、透射电子显微镜(TEM)、紫外-可见-近红外分光光度计,对纳米阵列的相结构、微观表面形貌、晶体结构及光吸收能力进行了表征和分析.研究表明:沉积于单斜晶系Cu2S纳米线阵列上的纳米颗粒为斜方晶系Cu2S,沉积后纳米线表面结构改变,粗糙度明显增加,起到了减少纳米线的光反射、优化原纳米线阵列光吸收综合能力的作用.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	甘源		1	0	0.0	0.0
2	王大永		1	0	0.0	0.0
3	洪澜		1	0	0.0	0.0