异质结太阳电池中非晶钝化层的分光椭偏分析

• 作者: 冯志强 刘正新 包健 孟凡英 张丽平 郭万武 陈奕峰
• 来源期刊: 光学学报
• 学科: 物理学
• 关键词: 薄膜 氢化非晶硅薄膜 分光椭偏测量 介电函数 光电特性 异质结太阳电池
• 年，卷（期）: 2015,（6）
• 所属期刊栏目: 薄膜
• 页码范围: 374-381
• 页数: 8页
• 分类号: O472+.3
• 语种: 中文
• DOI: 10.3788/AOS201535.0631002

摘要

采用分光椭偏(SE)测试技术研究晶体硅(c-Si)异质结太阳电池用氢化非晶硅(a-Si∶H)薄膜钝化层的性能.采用有效媒介理论为基础进行分层多相拟合,研究了a-Si∶H/c-Si界面层内部的缺陷散射周期(St)、a-Si∶H体内孔隙率以及薄膜介电函数峰值随基底温度的变化规律.通过与傅里叶红外转换光谱计算得到的微结构数据对比,发现界面层的St与薄膜内部SiH和SiH2含量相关.依据高分辨率透射电镜(TEM)下呈现的形貌特征、有效少子寿命和异质结的implied开路电压等参数的辅助证明,确定SE技术作为一种有效的光学表征手段,能准确快速地判断a-Si∶H对c-Si表面的钝化性能,继而定量给出适合晶体硅异质结太阳电池高质量a-Si∶H钝化层生长的最优参数.