薄膜型金属网栅的电磁屏蔽特性

• 作者: 冯晓国 张舸 汤洋
• 来源期刊: 光学精密工程
• 学科: 工学
• 关键词: 透明导电膜 金属网栅 电磁屏蔽 方块电阻
• 年，卷（期）: 2015,（3）
• 所属期刊栏目: 现代应用光学
• 页码范围: 686-691
• 页数: 6页
• 分类号: TB43|O484.4
• 字数: 3056字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3788/OPE.20152303.0686

摘要

为寻求准确评估薄膜型金属网栅电磁屏蔽效能的方法,探索了薄膜型金属网栅在某频段可达到的电磁屏蔽效能.首先,分析了金属网栅膜光电特性常用的计算公式,指出电特性公式中材料无限导电的假定条件与客观事实不符,故其无法准确预估薄膜型金属网栅的电磁屏蔽效能.然后,根据屏蔽效能受感应电压和电阻比控制的理论,借鉴连续导电膜用方块电阻计算屏蔽效能的方法,提出了预估薄膜型金属网栅屏蔽效能的方法并给出了具体步骤.最后,采用激光直写工艺流程制备了薄膜型金属网栅,验证了理论计算结果与实验检测结果的一致性.检测结果显示:薄膜型金属网栅试片在30～1 500 MHz的屏蔽效能最高为30 dB;用检测方块电阻并代入连续膜经验公式计算得到的屏蔽效能为31.2 dB,用金属网栅膜常用公式计算得到的屏蔽效能为75 dB.数据显示用金属网栅膜常用电特性公式无法准确评估薄膜型金属网栅的电磁屏蔽效能,而本文所提方法便捷、准确、可行.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	冯晓国	中国科学院长春光学精密机械与物理研究所中国科学院光学系统先进制造技术重点实验室	28	366	13.0	18.0
2	张舸	中国科学院长春光学精密机械与物理研究所中国科学院光学系统先进制造技术重点实验室	16	199	8.0	14.0
3	汤洋	中国科学院长春光学精密机械与物理研究所中国科学院光学系统先进制造技术重点实验室	6	63	5.0	6.0