SnO2纳米片容量异常行为的新解释

• 作者: 张利波 王栋梁
• 来源期刊: 电源技术
• 学科: 工学
• 关键词: SnO2 氧缺陷 容量异常 锂离子电池
• 年，卷（期）: 2015,（12）
• 所属期刊栏目: 研究与设计
• 页码范围: 2577-2578,2630
• 页数: 3页
• 分类号: TM912.9
• 字数: 2476字
• 语种: 中文

摘要

纳米SnO2作为锂离子电池负极材料,充放电容量有时会超过其容量的理论值.传统的解释一般包含以下三个方面:(1)在嵌锂过程中,SnO2负极材料表面形成的SEI膜消耗或释放部分锂离子;(2)充放电过程中Li2O发生部分可逆反应;(3)纳米材料本身独特的孔结构可储存额外的锂离子.这里,基于所制备的SnO2纳米片,提出了另外一种可能引起其高容量的原因:即SnO2本身存在的氧缺陷.通过对SnO2纳米片在空气以及氮气气氛中的热重分析证实了这一观点.由于液相法制备的SnO2纳米材料普遍存在氧缺陷,所以氧缺陷可视为引起液相法制备的纳米SnO2负极材料容量异常行为的另外一种原因.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	张利波		5	2	1.0	1.0
2	王栋梁		8	5	1.0	1.0