反应烧结碳材料表面异质外延生长SiO2晶体的研究

• 作者: 孙玉周 张旺玺 张艳丽 梁宝岩 王艳芝 穆云超
• 来源期刊: 人工晶体学报
• 学科: 工学
• 关键词: 热蒸发法 碳材料 二氧化硅 异质外延生长
• 年，卷（期）: 2015,（11）
• 页码范围: 3103-3107
• 页数: 5页
• 分类号: TG146.642
• 字数: 2907字
• 语种: 中文

摘要

利用高温反应烧结在不同结构碳材料表面热蒸发进行二氧化硅(SiO2)晶体的外延生长.采用X-射线衍射仪(XRD)、扫描电镜(SEM)和电子能谱仪(EDS)分析和研究了碳材料表面生成物的物相组成与显微形貌,探讨了SiO2晶体的外延生长机理.研究结果表明,不同结构碳材料表面能外延生长SiO2晶体,但形态不同.在碳纤维表面形成颗粒和短晶须状SiO2晶体,在石墨片上形成凸起团聚状SiO2晶体,而在金刚石表面首先形成了Si-O涂层,然后在Si-O涂层上生长棒状SiO2体.碳材料外延生长SiO2晶体是首先通过热蒸发法使Si沉积到碳材料表面,然后Si与体系中的O反应形成SiO2晶核,在不同结构碳材料表面生长SiO2晶体.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	张旺玺	中原工学院材料与化工学院	113	529	12.0	17.0
2	王艳芝	中原工学院建筑工程学院	52	208	8.0	11.0
3	孙玉周	中原工学院建筑工程学院	41	132	6.0	9.0
4	穆云超	中原工学院材料与化工学院	59	231	7.0	11.0
5	梁宝岩	中原工学院材料与化工学院	78	187	6.0	8.0
6	张艳丽	中原工学院材料与化工学院	19	25	3.0	4.0