CdMoO4∶W6+晶体电子结构的模拟计算研究

• 作者: 严非男 王希恩 陈俊
• 来源期刊: 人工晶体学报
• 学科: 物理学
• 关键词: CdMoO4∶W6+晶体 DV-Xα 发射带
• 年，卷（期）: 2015,（11）
• 页码范围: 3079-3082
• 页数: 4页
• 分类号: O775
• 字数: 1295字
• 语种: 中文

摘要

采用基于密度泛函理论的嵌入团簇离散变分方法,计算了CdMoO4∶W6+晶体的电子结构.计算结果显示,在CdMoO4∶W6+晶体的禁带内出现了W的5d施主能态,这说明CdMoO4晶体受激发后出现的峰值在550 nm(2.25ev)的发射带与晶体中的钨类施主离子有关,合理地解释了CdMoO4晶体在500～ 600 nm区间的发射带的起源.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	陈俊	上海理工大学理学院	21	54	4.0	6.0
2	严非男	上海理工大学理学院	24	37	4.0	5.0
3	王希恩	上海理工大学理学院	3	7	1.0	2.0