高性能Ag/La0.7Mg0.3MnO3/p+-Si阻变器件的研究

• 作者: 杨玲 王华 许积文 闫帅帅 陈齐松
• 来源期刊: 人工晶体学报
• 学科: 工学
• 关键词: 阻变 La0.7Mg0.3MnO3 溶胶-凝胶 异质结
• 年，卷（期）: 2015,（12）
• 页码范围: 3493-3497
• 页数: 5页
• 分类号: TM282
• 字数: 2264字
• 语种: 中文

摘要

采用溶胶-凝胶工艺在p型单晶硅衬底上制备了La0.7Mg0.3MnO3薄膜,对薄膜的微观结构及Ag/La0.7Mg0.3MnO3/p+-Si器件的电致阻变性能进行了研究.结果表明:La0.7Mg0.3MnO3薄膜在经过700℃退火2h后为单一的钙钛矿结构,沿(112)晶向择优生长,薄膜致密平整;Ag/La0.7Mg0.3MnO3/p+-Si阻变器件具有典型的双极型阻变特性,具有非常高的电阻开关比,其高阻态(HRS)与低阻态(LRS)的比值高于105,以及较佳的耐疲劳性能,器件在1000次循环后高、低阻态比值没有明显变化;器件在高阻态(HRS)时的导电机制为Schotty势垒发射效应,低阻态(LRS)导电机制为导电细丝机制.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	王华	桂林电子科技大学材料科学与工程学院	98	463	13.0	17.0
2	许积文	桂林电子科技大学材料科学与工程学院	68	171	6.0	10.0
3	杨玲	桂林电子科技大学材料科学与工程学院	35	103	6.0	8.0
4	闫帅帅	桂林电子科技大学材料科学与工程学院	1	1	1.0	1.0
5	陈齐松	桂林电子科技大学材料科学与工程学院	3	2	1.0	1.0