移动加热器法生长CdMnTe和CdZnTe晶体的性能研究

• 作者: 吴文其 张继军 梁巍 王林军 秦凯丰 赖建明
• 来源期刊: 人工晶体学报
• 学科: 物理学
• 关键词: 碲锰镉 碲锌镉 移动加热器法 电阻率
• 年，卷（期）: 2015,（4）
• 页码范围: 872-878
• 页数: 7页
• 分类号: O78
• 语种: 中文

摘要

采用移动加热器法生长铟惨杂浓度为5×1017 atoms/cm3的Cd0.9Mn0.1Te (CMT)和Cd0.9Zn0.1Te (CZT)单晶.生长得到的CMT晶体和CZT晶体电阻率范围为4.5×109 ～ 6.2×1010 Ω·cm.CMT晶体的成分均匀性要优于CZT晶体,拟合得到CMT和CZT晶体中Mn和Zn的分凝系数分别为0.95和1.23.富Te区在两种晶体生长过程中都具有显著的提纯作用,In惨杂的浓度范围均在6.4 ～ 14.4 ppm范围内.红外透射显微镜观察到三角形和六边形为主的Te夹杂的尺寸5 ～24 μm,浓度为105 cm-3.除最后结晶区之外,沿晶体生长方向Te夹杂的尺寸逐渐减小而浓度逐渐增大.制备的CMT和CZT探测器对59.5 keV241Am放射源均有能谱响应,能量分辨率分别为23.2％和24.6％.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	王林军	上海大学材料科学与工程学院	109	441	11.0	14.0
2	张继军	上海大学材料科学与工程学院	20	48	4.0	6.0
3	秦凯丰	上海大学材料科学与工程学院	4	15	2.0	3.0
4	梁巍	上海大学材料科学与工程学院	2	3	1.0	1.0
5	赖建明	上海大学材料科学与工程学院	3	3	1.0	1.0
6	吴文其	上海大学材料科学与工程学院	2	3	1.0	1.0