计算机模拟薄膜生长过程研究

• 作者: 孙治国
• 来源期刊: 电脑知识与技术：学术交流
• 学科: 工学
• 关键词: MONTE Carlo法 薄膜生长 薄膜应力 薄膜粗糙度
• 年，卷（期）: 2015,（9）
• 页码范围: 161-162
• 页数: 2页
• 分类号: TP311

摘要

该文采用MonteCarlo算法，以面心立方结构材料为例，对薄膜生长过程中的应力进行了计算机模拟，同时也模拟了在薄膜生长的过程中表面粗糙和基底温度之间所存在的关系。通过模拟结果发现，当基底温度较低时薄膜表面相对粗糙，而随着基底温度的身高表面粗糙程度则随之下降，而当温度到达一定程度时表面粗糙度会达到最低，之后这回随着温度的升高粗糙度又将升高。模拟结果还表明在一定原子入射率下，当薄膜沉积相同厚度下，薄膜应力随基底温度的增大而减小。

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	孙治国	兰州工业学院材料工程学院	3	5	1.0	2.0