非易失性静态随机存取存储器国外专利研究进展

• 作者: 于小利 邢白灵 陈敏
• 来源期刊: 科技与企业
• 关键词: SRAM 非易失EEPROM 铁电 阻变
• 年，卷（期）: 2015,（13）
• 所属期刊栏目: 科技专论
• 页码范围: 246-246
• 页数: 1页
• 字数: 1781字
• 语种: 中文

摘要

非易失性静态随机存取存储器既具有静态随机存取存储器的快速读取和写入特性，也具有非易失性存储器在断电时仍然保持数据的非易失性，在计算机系统和智能仪器中起着重要的作用。本文对检索得到的172篇国外关于非易失静态随机存取存储器的专利申请进行梳理，分析主要申请人的相关专利技术，为我国非易失静态随机存取存储器的研究发展提供参考。

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	陈敏		12	5	1.0	1.0
2	邢白灵		3	2	1.0	1.0
3	于小利		1	2	1.0	1.0