14 nm FinFET和65 nm平面工艺静态随机存取存储器中子单粒子翻转对比

• 作者: 习凯 何玉娟 张战刚 彭超 恩云飞 李晓辉 梁天骄 王松林 童腾 雷志锋 黄云
• 来源期刊: 物理学报
• 关键词: FinFET 中子 单粒子翻转 核反应
• 年，卷（期）: 2020,（5）
• 所属期刊栏目: 凝聚物质:结构、力学和热学性质
• 页码范围: 133-140
• 页数: 8页
• 字数: 3678字
• 语种: 中文
• DOI: 10.7498/aps.69.20191209

摘要

使用中国散裂中子源提供的宽能谱中子束流,开展14 nm FinFET工艺和65 nm平面工艺静态随机存取存储器中子单粒子翻转对比研究,发现相比于65 nm器件,14 nm FinFET器件的大气中子单粒子翻转截面下降至约1/40,而多位翻转比例从2.2％增大至7.6％,源于14 nm FinFET器件灵敏区尺寸(80 nm×30 nm×45 nm)、间距和临界电荷(0.05 fC)的减小.不同于65 nm器件对热中子免疫的现象,14 nm FinFET器件中M0附近10B元素的使用导致其表现出一定的热中子敏感性.进一步的中子输运仿真结果表明,高能中子在器件灵敏区中产生的大量的射程长、LET值大的高Z二次粒子是多位翻转的产生诱因,而单粒子翻转主要来自于p,He,Si等轻离子的贡献.