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摘要:
本文采用SMIC0.18umCMOS射频工艺设计了基于噪声抵消技术的低噪声放大器(LNA),并通过仿真验证.仿真结果显示,该低噪声放大器具有良好的噪声性能特性,噪声最低小于1.5d在宽频带内整体噪声小于5dB,以及良好的S参数,S21最高增益大于20dB,S11和S22都小于-10dB,适合通信技术要求.
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文献信息
篇名 基于噪声抵消技术的低噪声放大器的设计
来源期刊 数字技术与应用 学科 工学
关键词 噪声抵消 低噪声放大器 CMOS射频
年,卷(期) 2015,(11) 所属期刊栏目 设计开发
研究方向 页码范围 166
页数 1页 分类号 TN722.3
字数 522字 语种 中文
DOI
五维指标
作者信息
序号 姓名 单位 发文数 被引次数 H指数 G指数
1 李燕楠 重庆邮电大学光电工程学院 3 1 1.0 1.0
2 徐兰 重庆邮电大学光电工程学院 4 3 1.0 1.0
3 荣华刚 重庆邮电大学光电工程学院 1 0 0.0 0.0
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节点文献
噪声抵消
低噪声放大器
CMOS射频
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期刊影响力
数字技术与应用
月刊
1007-9416
12-1369/TN
16开
天津市
6-251
1983
chi
出版文献量(篇)
20434
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106
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35701
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