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摘要:
采用电子束熔炼的方法提纯多晶硅.重点研究多晶硅中的杂质元素Mg在电子束熔炼时中的挥发情况.实验用功率为200Kw电子枪,熔炼30min后,多晶硅中Mg元素含量从不高于5.0×10-4%(质量分数)降低至1.7×10-5%(质量分数);实验结果表明,熔炼初期杂质元素 Mg 的挥发速率遵循一阶反应方程,随着熔炼时间的增长,挥发速率逐步减缓,最终趋于稳定.
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文献信息
篇名 电子束熔炼去除多晶硅中镁元素的研究
来源期刊 东方教育 学科
关键词 多晶硅 电子束熔炼 杂质元素 Mg 挥发速率
年,卷(期) 2015,(9) 所属期刊栏目 综合论坛
研究方向 页码范围 400
页数 1页 分类号
字数 语种 中文
DOI
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1 高孝书 宁夏职业技术学院能源与化工技术系 8 7 2.0 2.0
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多晶硅
电子束熔炼
杂质元素
Mg
挥发速率
研究起点
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东方教育
月刊
2079-3111
32-0034
南京市栖霞区和燕路257-1号
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