浅谈硅片背面铜污染的清洗

• 作者: 刘永刚
• 来源期刊: 科技风
• 关键词: 铜污染 单片清洗 硅片背面 刻蚀
• 年，卷（期）: 2015,（15）
• 所属期刊栏目: 应用科技
• 页码范围: 128
• 页数: 1页
• 字数: 1959字
• 语种: 中文

摘要

在半导体芯片的生产过程中,硅片背面出现铜污染(以下简称Cu污染)的现象屡见不鲜.目前有三种溶液配制成的混合液可作为清洗液使用,它们分别是由H2SO4/H2O2/H2O、HNO3/HF和HF/H2O2/H2O各按照一定比例配制成的.本文就是针对这三种清洗液展开讨论,浅谈清洗液对于硅片背面Cu污染的清洗.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	刘永刚		2	0	0.0	0.0