台面型InP/InGaAs雪崩光电二极管刻蚀工艺研究

• 作者: 夏伟 杜玉杰 牟桐 邓军
• 来源期刊: 应用物理前沿：中英文版
• 学科: 工学
• 关键词: 雪崩光电二极管(APD) INP/INGAAS ICP 台面型 暗电流
• 年，卷（期）: 2016,（1）
• 页码范围: 1-7
• 页数: 7页
• 分类号: TN312.8

摘要

对比了ICP刻蚀和湿法腐蚀制备台面型InP/InGaAs雪崩光电二极管(APD)时侧壁、表面形貌的不同,以及对暗电流和击穿电压的影响。在Cl2/Ar2/CH4条件下感应耦合等离子体(ICP)刻蚀InP会出现表面粗糙,对其原因进行了探究。并主要对ICP的刻蚀时间和刻蚀功率进行了优化,提高刻蚀表面的温度,保证了刻蚀的稳定性并改善了InP刻蚀表面的形貌,确定了稳定制备APD器件的刻蚀条件,最终制备出性能优良的台面型APD器件。

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	邓军	北京工业大学北京市光电子技术实验室	57	219	7.0	10.0
2	牟桐	北京工业大学北京市光电子技术实验室	3	1	1.0	1.0
3	杜玉杰	北京工业大学北京市光电子技术实验室	4	1	1.0	1.0
4	夏伟	北京工业大学北京市光电子技术实验室	3	0	0.0	0.0