高纯锗多晶材料区熔速度优化的数值模拟

• 作者: 孙慧斌 白尔隽 罗奇 胡世鹏 谭志新 赵海歌 郝昕
• 来源期刊: 深圳大学学报（理工版）
• 学科: 工学
• 关键词: 半导体 高纯锗制备 高纯锗探测器 区熔提纯 杂质浓度 数值模拟 参数优化
• 年，卷（期）: 2016,（3）
• 所属期刊栏目: 材料科学
• 页码范围: 248-253
• 页数: 6页
• 分类号: TN304.1
• 字数: 3783字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3724/SP.J.1249.2016.03248

摘要

为提高探测器级高纯锗多晶材料的制备效率,开展对锗材料多次区熔过程的参数优化的数值模拟.利用分凝原理对高纯锗多晶材料制备的区熔过程进行数值模拟,针对杂质分凝系数小于1的情况,比较了不同区熔速度下,单次和多次区熔的提纯效果.结果表明,虽然速度越慢单次区熔效果越好,但对多次区熔的累计效果要采用相对快速多次的方法,以实现相同提纯效果下总时间最短,即多次累计的区熔效率最高.给出了区熔速度的优化方法,以指导实验提高区熔效率.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	赵海歌	深圳大学物理与能源学院	15	34	3.0	4.0
2	孙慧斌	深圳大学物理与能源学院	34	131	7.0	9.0
3	罗奇	深圳大学物理与能源学院	14	44	4.0	5.0
4	胡世鹏	深圳大学物理与能源学院	3	10	2.0	3.0
5	郝昕	深圳大学物理与能源学院	7	10	2.0	2.0
6	谭志新	中国科学院高能物理研究所	1	2	1.0	1.0
10	白尔隽	深圳大学物理与能源学院	3	3	1.0	1.0