超高纯锗多晶材料制备工艺方法研究

• 作者: 包文臻 普世坤 李学洋 李长林 林作亮 柳廷龙 米家蓉
• 来源期刊: 云南冶金
• 学科: 物理学
• 关键词: 锗 区熔提纯 纯度
• 年，卷（期）: 2020,（1）
• 所属期刊栏目: 金属材料与加工
• 页码范围: 56-60
• 页数: 5页
• 分类号: O787
• 字数: 3202字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1006-0308.2020.01.014

摘要

高纯锗属于半导体材料,一般通过区域熔炼法提纯制取,微量杂质元素会显著地使其电阻率降低.因此,习惯用(杂质)载流子浓度(通过电阻率和迁移率进行表征)来表示高纯锗的纯度, (杂质)载流子浓度越低,纯度越高.为提高超高纯锗多晶材料的纯度,适应空间暗物质、中微子探测、地质勘探等领域研究的需要,开展了超高纯锗多晶材料纯度的实验工艺优化实验研究.同时,进行了区熔次数的实验研究以改进工艺过程,以期找到一种新型的超高纯锗多晶材料制备工艺,使制备出的超高纯锗多晶材料纯度达到(12～13)N,载流子浓度＜1×1011/cm2,电阻率＞2×103 Ω·cm,迁移率＞1×104 cm2/(V ·s).

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	普世坤		18	73	5.0	7.0
2	李学洋		1	0	0.0	0.0
3	林作亮		1	0	0.0	0.0
4	米家蓉		1	0	0.0	0.0
5	柳廷龙		2	0	0.0	0.0
6	包文臻		1	0	0.0	0.0
7	李长林		1	0	0.0	0.0