电路基板用AlN-TiN-BN复相导电陶瓷的制备及性能研究

• 作者: 李军 汪怀蓉
• 来源期刊: 中国陶瓷
• 学科: 工学
• 关键词: 电路基板 热压烧结 力学性能 导电性能 导电通道
• 年，卷（期）: 2016,（5）
• 所属期刊栏目: 研究与开发
• 页码范围: 31-34
• 页数: 4页
• 分类号: TQ174.1
• 语种: 中文
• DOI: 10.16521/j.cnki.issn.1001-9642.2016.05.008

摘要

以微米TiN、AlN以及BN为主要原料,以微米B4C、纳米Si粉以及微米Y2O3为添加剂,在N2气氛保护下热压烧结制备了AlN-TiN-BN复相导电陶瓷.测试和分析了烧结样品的相对密度、弯曲强度、断裂韧性、硬度值以及导电性能.结果表明,最佳的导电陶瓷配比中微米TiN添加量(wt％)为40％,微米AIN添加量为30％,微米BN为15％.当烧结温度为1800℃时,样品性能最佳,其相对密度为95.7％,弯曲强度为415.3 MPa,断裂韧性为5.54 MPa·m1/2,维氏硬度为HRA 83.1,电阻率值为781.5 μΩ·cm.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	李军		2	80	1.0	2.0
2	汪怀蓉		7	15	3.0	3.0