新一代功率芯片耐高温封装连接国内外发展评述

• 作者: 冯洪亮 赵兴科 陈树海 黄继华
• 来源期刊: 焊接学报
• 学科: 工学
• 关键词: 功率芯片 耐高温封装 连接 瞬时液相烧结
• 年，卷（期）: 2016,（1）
• 所属期刊栏目: 专题综述
• 页码范围: 120-128
• 分类号: TG425
• 语种: 中文

摘要

新一代半导体高温功率芯片可在500℃左右甚至更高的温度下服役,耐高温封装已成为其高温应用的主要障碍.针对当前高温功率芯片耐高温封装连接问题,从芯片耐高温封装连接的结构及要求、芯片的耐高温封装连接方法(包括高温无铅钎料封装连接、银低温烧结连接、固液互扩散连接和瞬时液相烧结连接)及存在的问题等方面对国内外研究现状、动态进行了分析和评述,并提出了今后高温功率芯片耐高温封装连接的研究重点和发展方向.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	黄继华	北京科技大学材料科学与工程学院	189	1948	22.0	31.0
2	赵兴科	北京科技大学材料科学与工程学院	70	597	13.0	20.0
3	陈树海	北京科技大学材料科学与工程学院	45	302	9.0	15.0
4	冯洪亮	北京科技大学材料科学与工程学院	1	10	1.0	1.0