不同Mg掺杂位置对ZnO电子结构、态密度和光学性质的影响

• 作者: 毛彩霞 胡永红 黄海铭
• 来源期刊: 华中师范大学学报（自然科学版）
• 学科: 物理学
• 关键词: 第一性原理计算 电子结构 态密度 光学性质 MgZnO
• 年，卷（期）: 2016,（2）
• 页码范围: 190-195
• 页数: 6页
• 分类号: O481.1
• 字数: 4389字
• 语种: 中文

摘要

通过第一性原理计算,研究了替代位和间隙位Mg掺杂对ZnO电子结构、态密度和光学性质的影响.结果表明,替代位Mg掺杂导致ZnO带隙展宽,而间隙位Mg掺杂ZnO形成n型半导体.比较了纯ZnO和不同Mg掺杂位置MgZnO体系的分波和总电子态密度,并解释了相应的电子结构和光学性质的差别.发现替代位Mg掺杂和纯ZnO体系的光学特性差别较小,而间隙位Mg掺杂导致ZnO光吸收边蓝移,折射率减小,而且在可见到近紫外光区域(0到4.2 eV).具有比纯ZnO更好的光透过性.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	胡永红	湖北科技学院核技术与化学生物学院	23	14	1.0	3.0
3	黄海铭	湖北汽车工业学院理学院	40	86	5.0	6.0
4	毛彩霞	湖北科技学院核技术与化学生物学院	13	3	1.0	1.0