高纯硅中杂质元素的质谱与非质谱分析方法综述

• 作者: 周涛 张见营 李金英
• 来源期刊: 质谱学报
• 学科: 化学
• 关键词: 高纯硅 金属杂质 非金属杂质 分析方法 综述
• 年，卷（期）: 2016,（1）
• 所属期刊栏目: 综述
• 页码范围: 88-96
• 页数: 9页
• 分类号: O657.63
• 字数: 6386字
• 语种: 中文
• DOI: 10.7538/zpxb.2016.37.01.0088

摘要

高纯硅广泛应用于光伏产业与电子信息产业,其中杂质的种类与含量是影响其性能的重要指标.根据杂质的不同属性,对高纯硅中杂质的质谱及非质谱分析测定方法进行了分类与综述,分析了各种方法的优缺点及应用现状.金属杂质元素的测定方法主要有辉光放电质谱法(GDMS)、电感耦合等离子体质谱法(ICP-MS)、二次离子质谱法(SIMS)等质谱分析方法,以及原子光谱法、中子活化分析法等非质谱分析方法;非金属杂质元素的测定方法主要有二次离子质谱法、气体提取-专用测定法等非质谱分析方法.对于高纯硅纯度分析,质谱和非质谱分析方法分别在金属杂质元素和非金属杂质元素的测定方面显示出优势.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	周涛		24	87	5.0	7.0
2	李金英		51	627	11.0	23.0
6	张见营		3	8	2.0	2.0