基于斜台面工艺的背照式GaN雪崩探测器制备

• 作者: 叶嗣荣 周勋 李艳炯 申志辉
• 来源期刊: 半导体光电
• 学科: 工学
• 关键词: GaN 雪崩探测器 背照式 斜台面
• 年，卷（期）: 2016,（2）
• 所属期刊栏目: 光电器件
• 页码范围: 175-177,196
• 分类号: TN929.11
• 语种: 中文

摘要

对基于斜台面工艺的背照式pin型GaN紫外雪崩探测器制备进行了简要介绍.通过斜台面制作工艺的对比优化研究,完成了GaN紫外雪崩探测器的低损伤斜台面制作,器件测试结果表明,高质量斜台面能够有效抑制雪崩探测器的表面提前击穿,器件暗电流特性优良,获得了超高雪崩增益的GaN紫外雪崩探测器.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	周勋		21	79	5.0	8.0
2	李艳炯		6	7	2.0	2.0
3	叶嗣荣		15	64	4.0	8.0
4	申志辉		7	7	2.0	2.0